تولید انبوه پردازنده ۳ نانومتری سامسونگ در سال ۲۰۲۱ عملی نمی شود

با انجام فرایند ساخت پردازنده از نظر فنی، دو ریخته گری اصلی، سامسونگ و TSMC اکنون توجه خود را به روند تولید پردازنده ۳ نانومتری تغییر داده اند. برای سامسونگ، تولید انبوه پردازنده ۳ نانومتری باید در سال ۲۰۲۱ آغاز می شد. با این حال آخرین گزارش ها نشان می دهد که جدول زمانی دیگر برای سامسونگ برنامه ریزی شده است.

جدول زمانی واقعی تر برای تولید انبوه انبوه پردازنده ۳ نانومتری در حال حاضر ۲۰۲۲ است. طبق گفته منابع این صنعت روند تولید پردازنده ۳ نانومتری سامسونگ ممکن است تا سال ۲۰۲۲ به تعویق بیافتد. بدیهی است که دلیل اصلی این تعویق، بیماری همه گیر COVID-19 است.

پردازنده 3 نانومتری

تولید پردازنده ۳ نانومتری سامسونگ احتمالا تا سال ۲۰۲۲ به تعویق افتاد

این بیماری همه گیر خدمات لجستیکی و حمل و نقل را تحت تاثیر قرار داده و منجر به تاخیر در تحویل دستگاه های لیتیوگرافی ماورا بنفش شده است. همچنین سایر تجهیزات تولید پردازنده ۳ نانومتر را به تعویق می اندازد.

پیشنهاد میکنیم مطالب زیر را نیز مطالعه نمایید

این به نوبه خود بر زمان تولید انبوه هم تاثیر می گذارد. فعلا که معلوم نیست که روند تولید انبوه تراشه ۳ نانومتری رقبا سامسونگ از برنامه اصلی خود پیروی خواهد کرد یا نه. اگر رقبا این شرکت به صورت عادی به کار خود ادامه دهند، ممکن است وضعیت برای سامسونگ نامطلوب باشد.

ASML تنها تولید کننده در جهان است که می تواند ماشین هاب لیتیوگرافی ماورا بنفش تولید کند. این شرکت پیش از این هم پیش بینی کرده بود که عملکرد خود را برای سه ماهه اول سال جاری کاهش داده است. این رقم بین ۳.۱ میلیارد یورو و ۳.۳ میلیارد یورو به ۲.۳ میلیارد یورو و ۲.۴ میلیارد یورو می رسد (کاهش ۱میلیارد یورویی که اگر بخواهیم به واحد پول کشور خودمون تبدیل کنیم چیزی حدود ۱۷,۰۰۰,۰۰۰,۰۰۰,۰۰۰ تومان می شود).

این کاهش عملکرد در سه ماهه اول سال عمدتا به دلیل تاثیر اپیدمی است. با این حال، دلایل دیگر شامل تاخیر در تحویل دستگاه های لیتیوگرافی است که برخی از تولید کنندگان از تحویل نگرانی دارند. به منظور سرعت بخشیدن به روند تحویل، برخی از تولید کنندگان حتی قبل از تکمیل پذیرش  عادی کارخانه، درخواست تحویل می دهند.

طبق گزارشات قبلی، پردازنده ۳ نانومتری سامسونگ از فناوری گیت ترانزیستور (GAAFET) استفاده می کند. این یک فناوری کاملا متفاوت از ترانزیستور تاثیر میدان باله (FinFET) در فرایند های پردازنده های ۵  نانومتری و ۷ نانومتری است. تراشه ۳ نانومتری سامسونگ می تواند نسبت به پردازنده های ۵ نانومتری ۳۳% عملکرد را بهبود ببخشد.

___ با سیم پو باش تا از دنیا دور نمونی ___

منبع ITHome

نظر شما در مورد این مطلب چیه

آدرس ایمیل شما بصورت عمومی در نظرات منتشر نخواهد شد.

لطفا از ارسال نظرات نامرتبط با این مطلب خودداری نمایید.

سیم پو از کوکی ها صرفا جهت بهبود بخشیدن تجربه کاربری شما در این وبسایت استفاده خواهد کرد.

باشه ممنون
اطلاعات بیشتر